Integroitujen hiilinanoputkirakenteiden sovelluskohtainen synteesi
Väitöstilaisuuden tiedot
Väitöstilaisuuden päivämäärä ja aika
Väitöstilaisuuden paikka
Oulun yliopisto, Arina sali (TA105), Linnanmaa
Väitöksen aihe
Integroitujen hiilinanoputkirakenteiden sovelluskohtainen synteesi
Väittelijä
Diplomi-insinööri Olli Pitkänen
Tiedekunta ja yksikkö
Oulun yliopiston tutkijakoulu, Tieto- ja sähkötekniikan tiedekunta, Mikroelektroniikan tutkimusyksikkö
Oppiaine
Elektroniikan materiaalit ja komponentit
Vastaväittäjä
Tohtori Asta Kärkkäinen, Huawei Technologies
Toinen vastaväittäjä
Professori Albert Nasibulin, Skolkovo Institute of Science and Technology
Kustos
Professori Krisztian Kordas, Oulun yliopisto
Hiilinanoputkien kasvatus suoraan alustalle
Hiilinanoputket tunnetaan niiden erinomaisista mekaanisista ja sähköisistä ominaisuuksista, joita on hyödynnetty lukuisissa sovelluksissa viimeisen kahden vuosikymmenen ajan. Nanoputkien kasvatus suoraan laitteeseen ei ole kuitenkaan suoraviivaista, sillä tavallisesti käytettävät korkeat yli 600 asteen lämpötilat asettavat haasteita käytettyjen materiaalien vakaudelle. Alentamalla kasvatuslämpötilaa sekä lisäämällä vakaampia materiaalikerroksia on mahdollista luoda uudenlaisia hiilinanoputkiin pohjautuvia sovelluksia ennennäkemättömillä ominaisuuksilla.
Väitöstyössä osoitetaan, että sopivan materiaalin, suojakerroksen ja katalyytin avulla hiilinanoputkien kasvatus on mahdollista perinteisen piioksidin lisäksi myös muille, epätavallisimmille pinnoille käyttäen kemiallista kaasufaasimenetelmää. Väitöstyössä käsitellään hiilinanoputkien matalan lämpötilan kasvatusta hyödyntäen kahden ja kolmen metallin katalyyttejä sekä tutkitaan lisättyjen suojakerroksien vaikutusta hiilinanoputkien ja alustan väliseen sähköiseen kontaktiin. Alin saavutettu kasvulämpötila (400 astetta) on yhteensopiva useimpien piiteknologioiden kanssa, mikä mahdollistaa nanoputkien kasvatuksen suoraan piikomponenteille, jotka eivät kestäisi korkeita lämpötiloja.
Työssä tutkittu suojakerros mahdollisti myös nanoputkien kasvatuksen suoraan metallien päälle, mitä voitiin demonstroida superkondensaattoreissa. Lisäksi työssä esitetään menetelmä, jossa teräs- ja supermetalliseoksen pinta käsitellään laser-säteellä. Tämän menetelmän avulla saavutettiin mikrokuvioitu hiilinanoputkien kasvu suoraan metallin päälle. Viimeisenä työssä esitetään hiilinanoputkien synteesi suoraan toiselle hiilimateriaalille ja demonstroidaan täysin hiilipohjainen materiaali erinomaisella suojauskyvyllä sähkömagneettisiin häiriösuojaussovelluksiin.
Väitöstyössä osoitetaan, että sopivan materiaalin, suojakerroksen ja katalyytin avulla hiilinanoputkien kasvatus on mahdollista perinteisen piioksidin lisäksi myös muille, epätavallisimmille pinnoille käyttäen kemiallista kaasufaasimenetelmää. Väitöstyössä käsitellään hiilinanoputkien matalan lämpötilan kasvatusta hyödyntäen kahden ja kolmen metallin katalyyttejä sekä tutkitaan lisättyjen suojakerroksien vaikutusta hiilinanoputkien ja alustan väliseen sähköiseen kontaktiin. Alin saavutettu kasvulämpötila (400 astetta) on yhteensopiva useimpien piiteknologioiden kanssa, mikä mahdollistaa nanoputkien kasvatuksen suoraan piikomponenteille, jotka eivät kestäisi korkeita lämpötiloja.
Työssä tutkittu suojakerros mahdollisti myös nanoputkien kasvatuksen suoraan metallien päälle, mitä voitiin demonstroida superkondensaattoreissa. Lisäksi työssä esitetään menetelmä, jossa teräs- ja supermetalliseoksen pinta käsitellään laser-säteellä. Tämän menetelmän avulla saavutettiin mikrokuvioitu hiilinanoputkien kasvu suoraan metallin päälle. Viimeisenä työssä esitetään hiilinanoputkien synteesi suoraan toiselle hiilimateriaalille ja demonstroidaan täysin hiilipohjainen materiaali erinomaisella suojauskyvyllä sähkömagneettisiin häiriösuojaussovelluksiin.
Viimeksi päivitetty: 23.1.2024