Näytteidenkäsittelymenetelmä ja synkronoitu termografia
johtavien ohutkalvojen tasalaatuisuuden määrityksissä
Väitöstilaisuuden tiedot
Väitöstilaisuuden päivämäärä ja aika
Väitöstilaisuuden paikka
Linnanmaa, OP-sali (L 10)
Väitöksen aihe
Näytteidenkäsittelymenetelmä ja synkronoitu termografia
johtavien ohutkalvojen tasalaatuisuuden määrityksissä
Väittelijä
Filosofian maisteri Kimmo Leppänen
Tiedekunta ja yksikkö
Oulun yliopiston tutkijakoulu, Tieto- ja sähkötekniikan tiedekunta, sähkötekniikan osasto
Oppiaine
Fotoniikka
Vastaväittäjä
Professori Ronald Österbacka, Åbo Akademi
Kustos
Dosentti Tapio Fabritius, Oulun yliopisto
Synkronoitu termografia johtavien ohutkalvojen tasalaatuisuuden määrityksissä
Johtavien materiaalien tasalaatuisuus on tärkeä ominaisuus ohutkalvoelektroniikan sovelluksissa kuten aurinkokennoissa ja valoa emittoivissa diodeissa (LED). Tasalaatuisuuserot ovat usein erittäin pieniä, näkymättömiä tai ne sijaitsevat pinnan alla, joten niiden havaitseminen on vaikeaa perinteisillä nykytieteen mittausmenetelmillä.
Tässä väitöskirjassa kehitettiin menetelmä, jossa johtavia ohutkalvoja lämmitetään sähkövirralla ja viiveajan jälkeen mitataan ohutkalvon infrapunakuva, josta nähdään kalvon tasalaatuisuus. Näytteinä käytettiin orgaanisissa aurinkokennoissa ja LED:ssä käytettyjä ohutkalvoja.
Menetelmällä kyetään paikallistamaan pieniä virheitä kalvojen rakenteissa. Lisäksi menetelmää hyödyntäen voidaan määrittää ohutkalvorakenteiden kriittisiä taivutussäteitä ja kalvojen paksuuksia.
Menetelmän hyödyt saavutetaan suuripinta-alaisten näytteiden pienten virheiden havaitsemisessa. Tulevaisuuden mahdollisuudet ovat mittaustekniikan hyödyntämisessä ohutkalvoelektroniikan laadunvalvonnassa.
Tässä väitöskirjassa kehitettiin menetelmä, jossa johtavia ohutkalvoja lämmitetään sähkövirralla ja viiveajan jälkeen mitataan ohutkalvon infrapunakuva, josta nähdään kalvon tasalaatuisuus. Näytteinä käytettiin orgaanisissa aurinkokennoissa ja LED:ssä käytettyjä ohutkalvoja.
Menetelmällä kyetään paikallistamaan pieniä virheitä kalvojen rakenteissa. Lisäksi menetelmää hyödyntäen voidaan määrittää ohutkalvorakenteiden kriittisiä taivutussäteitä ja kalvojen paksuuksia.
Menetelmän hyödyt saavutetaan suuripinta-alaisten näytteiden pienten virheiden havaitsemisessa. Tulevaisuuden mahdollisuudet ovat mittaustekniikan hyödyntämisessä ohutkalvoelektroniikan laadunvalvonnassa.
Viimeksi päivitetty: 23.1.2024